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電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下面我們就一起來(lái)看看吧。
以下是一些參考資料中給出的數(shù)據(jù)：
器件類(lèi)型 | 靜電破壞電壓(V) | 器件類(lèi)型 | 靜電破壞電壓(V) |
VMoS | 30～1800 | OP-AMP | 190～2500 |
M0SFET | 100～200 | JEFT | 140～1000 |
GaAsFET | 100～300 | SCL | 680～1000 |
PROM | 100 | STTL | 300～2500 |
CMoS | 250～2000 | DTL | 380～7000 |
HMOS | 50～500 | 肖特基二極管 | 300～3000 |
E／DMOS | 200～1000 | 雙極型晶體管 | 380～7000 |
ECL | 300～2500 | 石英壓電晶體 | ＜10000 |
從上表可見(jiàn)大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環(huán)境中人活動(dòng)所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾千伏到幾萬(wàn)伏。
要想獲得某個(gè)元器件的所能能承受的靜電電壓要通過(guò)試驗(yàn)才能測(cè)得。按照國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，一般使用靜電放電敏感度測(cè)試儀：
電子元器件靜電敏感度的試驗(yàn)主要用ESS-6008/ESS-6002半導(dǎo)體靜電放電模擬試驗(yàn)器，而用電子元器件組裝成組件、整機(jī)的電子設(shè)備靜電試驗(yàn)則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗(yàn)器來(lái)做試驗(yàn)。
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